来源：湖北日报 

　　6月20日上午，由长江存储实施的国家存储器基地项目二期（土建）在武汉东湖高新(5.850, 0.07, 1.21%)区开工。湖北省委书记、省人大常委会主任应勇宣布项目（土建）开工。湖北省委副书记、省长王晓东致辞。

湖北省委书记、省人大常委会主任应勇

　　长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。项目一期于2016年底开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。